成都鑫南光機械設備有限公司帶您了解四川光刻機的*新進展。

在光刻技術和微電子設備的發展過程中，二者是共生、依存的關系，二者的發展進步都離不開對方的演變。在上世紀**臺光刻機問世后，光刻技術一直都在以驚人的速度發展，我國的光刻技術發展成果也非常顯著，已經可以熟練掌握2μm、1μm、0.5μm、0.25μm 等不同要求的光刻技術，并著重研發了1μm 光刻技術，且取得了較大成就。當然，在光刻技術發展的過程中，微電子設備的發展也在不斷進行著。**上**個半導體晶體管同樣誕生于上個世紀，到目前為止，半導體晶體管的發展已經經歷了半個多世紀的時間，加工尺寸越來越小。

四川光刻機在經歷了半個世紀左右的發展后，光刻技術已經基本成熟，其理論依據、技術能力已經到達了一定的瓶頸。從光刻技術的發展歷程來看，隨著光刻手段的不斷更新，光刻技術能夠完成的尺寸越來越小，但是這種光刻技術的發展不會讓其能夠完成的尺寸無限小下去，根據相關科研人員和業內人士的觀點，光刻技術的完成尺寸瓶頸將會是50nm，50nm 可以說是在目前的光刻原理下光刻技術所能完成的極限尺寸，小于50nm 的光刻尺寸光刻技術將很難能夠完成。也許當光刻技術到達50nm后，由于其工作能力無法和微電子設備的發展相匹配而會滋生出新興的技術來取代光刻技術，但是為目前為止，人類的光刻技術還未能達到50nm，而且，在未來幾年之內，人類的光刻技術也*多只能到達70nm，要達到50nm的光刻標準， ] 2[光刻技術還將經歷一段較長的發展歷程。

據科研人員描述，70nm光刻技術已 經具有相當的難度，包含了多種高科技的光刻手段，而光刻技術要想超越50nm的瓶頸，必須采用跨越式的光刻技術，這將是未來人類光刻技術發展的一大目標

相信四川光刻機未來的發展會越來越好的。